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목록DRAM의동작특성 (1)
루피덕후의 블로그

DRAM의 write/read mode *wordline이 high인 상태에서, bit line이 high/low이면 cap의 충/방전이되어 write 동작 수행 *wordline이 high인 상태에서, bit line의 미세한 전압변화가 생기면 그 부분을 sense amplifier가 증폭하여 read 동작 수행 *precharging : 셀 읽기전에 BL을 미리 Vdd/2로 채워넣는 작업 목적 : PVT variation(chip들 사이의 편차)에 의한 영향을 줄이기 위해 noise voltage 때문에 특정 voltage level을 탐지하는 것이 어렵기떄문에, 아주 작은 값의 +/-변화를 감지하는 differential 회로를 이용한다. 미세한 전압 변화를 인식하고 증폭하는 역할을 하는 sense..
반도체
2023. 4. 17. 22:19