루피덕후의 블로그

NAND FLASH의 구조 (MOSFET + floating gate 구조) floating gate : gate가 control gate, floating gate 2개로, 그 사이에 절연막이 위치해 있어, 2개의 capacitor처럼 바라볼 수 있다. NAND FLASH의 Write/Erase/Read 동작원리 (write) *NMOS 기준 control gate에 충분한 양전압을 가하면 반도체 기판에서의 전자 일부가 floating gate로 들어가게 됨 floating gate에 전자 저장 유무에 따라 Vth가 변화하는데, 이때 floating gate에 전자가 들어가게되면, Vth가 커지고, 이러한 상태를 '0'(programmed)라고 한다. (erase) 반대로 반도체 기판에 충분한 양전압을..