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[메모리 반도체]NAND FLASH의 구조와 동작원리 본문
NAND FLASH의 구조

(MOSFET + floating gate 구조)
floating gate : gate가 control gate, floating gate 2개로,
그 사이에 절연막이 위치해 있어, 2개의 capacitor처럼 바라볼 수 있다.
NAND FLASH의 Write/Erase/Read 동작원리
(write)
*NMOS 기준
control gate에 충분한 양전압을 가하면 반도체 기판에서의 전자 일부가 floating gate로 들어가게 됨
floating gate에 전자 저장 유무에 따라 Vth가 변화하는데,
이때 floating gate에 전자가 들어가게되면, Vth가 커지고, 이러한 상태를 '0'(programmed)라고 한다.
(erase)
반대로 반도체 기판에 충분한 양전압을 가하면 floating gate의 전자를 비울 수 있는데,
이 때 vth가 낮아지고 이러한 상태를 '1'(unprogrammed)라고 한다.
(read)
floating gate에 채워져있는 전자 야을 control gate에 측정하여 판단하는데, 이 작업을 Read라고 한다.
NAND FLASH의 특징
-NAND FLASH는 DRAM처럼 캐패시터에 전하를 대전하는 방식이 아니라, floating gate에 전하를 가둬두는 방식이라
전원이 끊겨도 데이터를 유지할 수 있다.(비휘발성 메모리의 특징)
-옆 셀과 s/d를 공유하기 때문에 capacitor가 따로 있는 DRAM에비해 집적도가 높음(저장용량 우수)
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