[전자회로] MOSFET 증폭기 설계

 

mosfet 동작 영역별 활용과 gm(transconductance)

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공통 소오스/공통 게이트/소오스 팔로워

 

(공통 소오스 증폭기)

+ 전압 증폭기의 이상적인 Rin, Rout

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공통 소오스 증폭기 - load에 따른 성능(voltage headroom/bias 안정화/gain/Rout) 변화

 

 

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current source load : bias 안정화(voltage headroom 문제 해결), gain 상승 <-> 공정 파라미터 문제로 의도와 다르게 설계될 수 있음

 

 

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diode connected load : Rout, gain 감소 <->process variation 문제 완화

 

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source degeneration : gain 감소 <-> bias 안정화

 

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biasing circuit 과 capacitor의 활용(dc block/coupling cap)

 

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(공통 게이트 증폭기)

낮은 Rin -> CS와 cascode 구조에서 활용(CS의 증폭도 유지 + 낮은 Rin= 낮은 reactance로 손실이 적어 고주파 impedance matching에 용이)

 

 

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(소오스 팔로워)

Av<1, 높은 Rin과 낮은 Rout으로 이상적인 증폭기에 가까움

Av를 1에 가깝게 설계하면 버퍼역할을 하는 증폭기 설계 가능

 

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