[메모리 반도체]Flash Memory

 

비휘발성 메모리

: 전원이 꺼져도 데이터 보존

 

*FLASH

: control gate와 substrate사이에 floating gate 존재

 

*NOR Flash와 NAND Flash의 비교

 

	NOR flash	NAND Flash
특징	속도 빠름 bit-wise programming	고 집적도 block-wise programming
활용	program memory	data storage(USB/SSD)
program	hot electron	FN tunneling
erase	FN tunneling	FN tunneling

 

+DRAM보다 속도 느림

oxide가 망가질 수 있어 programming의 제한있음

 

*NOR FLASH의 program/erase 동작 수행

-hot electron effect

: V drain이 Vsource보다 높아 전류가 흐르는 상태 + 그런데 Vgate가 V drain보다 높아 gate 지점에서 전자가 floating gate로 빠져나가는 상황

*FLASH에서 '1','0'저장 여부는 floating gate에서의 전자 유무에 의해 결정되므로

이때는 floating gate에 '1'저장(program)

 

-FN tunneling effect

: source와 drain이 floating 상태이고, Vbody>Vgate이면 floating gate에 있던 전자가 sub로 빠져나옴

flating gate에 '0' 저장(erase)

 

*NOR FLASH의 read 동작 수행

 

 

read '1'

programmed cell에서 WL을 low로 연결/bit line에 전류가 흐르지 않아 '1'을 읽을 수 있도록

 

read '0'

erasedd cell에서 WL을 high로 연결/bit line에 gnd가 연결되고 '0'을 읽을 수 있도록

 

**이 부분(NOR FLASH의 read 동작)은 추후 다시 정리

 

*NOR FLASH와 NAND FLASH의 회로도 차이*

CMOS NOR, CMOS NAND 회로 schematic을 생각했을 때

NMOS가 병렬연결된 것은 NOR, 직렬연결된 것은 NAND 회로

 

 

각 cell의 bit line끼리 연결 : NOR FLASH

각 cell끼리 직렬 연결 : NAND FLASH

 

*NAND FLASH

 

NAND FLASH의 구조와 wr/rd 모드 수행