[메모리 반도체]DRAM의 wr/rd 동작 원리

 

 

DRAM의 write/read mode

 

 

 

 

 

 

 

*wordline이 high인 상태에서, bit line이 high/low이면 cap의 충/방전이되어 write 동작 수행

*wordline이 high인 상태에서, bit line의 미세한 전압변화가 생기면 그 부분을 sense amplifier가 증폭하여 read 동작 수행

*precharging : 셀 읽기전에 BL을 미리 Vdd/2로 채워넣는 작업

목적 : PVT variation(chip들 사이의 편차)에 의한 영향을 줄이기 위해

 

noise voltage 때문에 특정 voltage level을 탐지하는 것이 어렵기떄문에, 아주 작은 값의 +/-변화를 감지하는 differential 회로를 이용한다.

미세한 전압 변화를 인식하고 증폭하는 역할을 하는 sense amplifier가 differential amp에 속한다.

 

*refresh

: DRAM은 휘발성 메모리이므로, data를 일시적으로 기억할 수 있는 refresh 작업이 필요함

DRAM의 모든 read동작에 read 이후 write를 거치는 이유가 여기에 있음(refresh 포함)