[메모리 반도체] DRAM의 구조와 동작원리

 

 

1bit DRAM의 구조

: 1개의 transistor와 1개의 capacitor을 단위 셀로 구성하는 메모리 소자

capacitor의 전하 저장 유무에 따라 데이터 저장 유무가 결정

 

DRAM의 data 저장 및 기억 원리

WL(wordline) : TR의 on, off 결정

1) wordline(gate)를 on시키면 capacitor가 충전되면서 DRAM에 data를 저장하고

2) wordline(gate)를 off시키면 capacitor가 방전되면서 data를 기억(memory)

 

DRAM의 data 읽기 동작 원리

BL(bitline) : tr의 s/d부분, sense amplifier와 연결되어있어 capaciotr의 미세한 전하량 변화를 전압변화로 인지

 

1) wordline(gate)를 on시키면 capacitor와 bitline이 연결되어서 capacitor의 전하를 BL이 공유하는 상태

이 때 capacitor가 충전되어있으면 BL의 전압이 미세하기 변화하는데,

이 떄 미세하게 변화한 전압을 DRAM의 sense amplifier로 증폭하여 data를 읽음

 

DRAM(dynamic random access memory)

하지만 시간이 지날수록 capacitor의 전하는 방전되므로 data를 잃어버림

data를 잃어버리지않기위해서 data를 주기적으로 써주는 방법인 refresh가 필요함

 

DRAM의 특성

1. 구조가 단순하고 집적도가 높다 -> 싸고, 용량이 크다
2. capacitor의 충방전을 이용하므로 읽기속도가 NAND(일반 메모리 소자)보다 빠르다.

<-> data 저장용량 측면에서는 DRAM이 휘발성 메모리라 NAND에 비해 떨어짐

3. 전원이 공급된 상태에서 주기적인 재충전(refresh)가 이루어져야 정보를 기억한다.

 

+ DRAM vs SRAM,FLASH,MASK ROM

 

DRAM만의 차별점

1) address multiplexing :

address 쪼개서 들어감

2) Refresh