루피덕후의 블로그

비휘발성 메모리 : 전원이 꺼져도 데이터 보존 *FLASH : control gate와 substrate사이에 floating gate 존재 *NOR Flash와 NAND Flash의 비교 NOR flash NAND Flash 특징 속도 빠름 bit-wise programming 고 집적도 block-wise programming 활용 program memory data storage(USB/SSD) program hot electron FN tunneling erase FN tunneling FN tunneling +DRAM보다 속도 느림 oxide가 망가질 수 있어 programming의 제한있음 *NOR FLASH의 program/erase 동작 수행 -hot electron effect : V d..

DRAM의 write/read mode *wordline이 high인 상태에서, bit line이 high/low이면 cap의 충/방전이되어 write 동작 수행 *wordline이 high인 상태에서, bit line의 미세한 전압변화가 생기면 그 부분을 sense amplifier가 증폭하여 read 동작 수행 *precharging : 셀 읽기전에 BL을 미리 Vdd/2로 채워넣는 작업 목적 : PVT variation(chip들 사이의 편차)에 의한 영향을 줄이기 위해 noise voltage 때문에 특정 voltage level을 탐지하는 것이 어렵기떄문에, 아주 작은 값의 +/-변화를 감지하는 differential 회로를 이용한다. 미세한 전압 변화를 인식하고 증폭하는 역할을 하는 sense..

NAND FLASH의 구조 (MOSFET + floating gate 구조) floating gate : gate가 control gate, floating gate 2개로, 그 사이에 절연막이 위치해 있어, 2개의 capacitor처럼 바라볼 수 있다. NAND FLASH의 Write/Erase/Read 동작원리 (write) *NMOS 기준 control gate에 충분한 양전압을 가하면 반도체 기판에서의 전자 일부가 floating gate로 들어가게 됨 floating gate에 전자 저장 유무에 따라 Vth가 변화하는데, 이때 floating gate에 전자가 들어가게되면, Vth가 커지고, 이러한 상태를 '0'(programmed)라고 한다. (erase) 반대로 반도체 기판에 충분한 양전압을..

1bit DRAM의 구조 : 1개의 transistor와 1개의 capacitor을 단위 셀로 구성하는 메모리 소자 capacitor의 전하 저장 유무에 따라 데이터 저장 유무가 결정 DRAM의 data 저장 및 기억 원리 WL(wordline) : TR의 on, off 결정 1) wordline(gate)를 on시키면 capacitor가 충전되면서 DRAM에 data를 저장하고 2) wordline(gate)를 off시키면 capacitor가 방전되면서 data를 기억(memory) DRAM의 data 읽기 동작 원리 BL(bitline) : tr의 s/d부분, sense amplifier와 연결되어있어 capaciotr의 미세한 전하량 변화를 전압변화로 인지 1) wordline(gate)를 on시키..

*differential 회로의 필요성 : dc전압에 생기는 ripple 전압이 output에 종종 영향을 주므로, 이 noise(ripple 전압)를 제거하기 위해 differential 회로를 도입함 idea1) 본래의 회로와 생김새와 동작특성이 같은 쌍둥이 회로를 추가해서 ripple 전압을 상쇄함 한계 : rippel전압이 상쇄되지만, gain 또한 상쇄됨 idea2) ripple 전압은 상쇄시키면서, gain을 확보할 수 있는 쌍둥이 회로 두 회로의 input으로 서로의 차가 기준이 되는 differential signal(크기는 같고 위상은 반대)을 인가하면, gain은 확보하고 . ripple 전압도 상쇄할 수 있다. * differential 회로의 input 전압은 보통 transform..

MOSFET : gate 전압을 가해서 channel을 형성하고, drain-source사이에 전압을 가해 전류 흐름을 제어하는 소자 전압 증폭 소자 전류 증폭 소자인 BJT (1) MOSCAP에서의 channel 형성과 전하 흐름 가운데 절연막이 위치해있기 때문에 moscap은 capacitor처럼 동작한다고 볼 수 있다. capacitor 한 쪽 금속판에 전압을 걸어주었을 때, 반대쪽 금속판에 전하가 유도되는 원리로 인해 NMOS기준으로 MOSCAP의 gate 단자에 양전압을 걸어주면, 그 반대극판인 p-type semiconductor에는 음의 전하가 쌓인다. 이 때, mosfet의 on/off를 결정짓는 문턱전압(Vth)보다 큰 gate 전압이 인가되면, source와 drain사이 전하가 이동할..

transconductance(gm)= △output/△input, TR level증폭도 결정 short circuit transconductance(Gm) = △iout/△vin(when vout = ac gnd), circuit level short circuit transconductance의 용도 : cascode같이 고이득 증폭기에서 gain을 쉽게 구하기 위함 노턴 등가회로에의해 vout을 iout과 Rout관계식으로 구할 수 있고, 이 결과와 short circuit transconductance 개념을 이용해서 gain을 쉽게 구할 수 있다.

mosfet 동작 영역별 활용과 gm(transconductance) 대표사진 삭제 사진 설명을 입력하세요. 공통 소오스/공통 게이트/소오스 팔로워 (공통 소오스 증폭기) + 전압 증폭기의 이상적인 Rin, Rout 대표사진 삭제 사진 설명을 입력하세요. 공통 소오스 증폭기 - load에 따른 성능(voltage headroom/bias 안정화/gain/Rout) 변화 사진 삭제 current source load : bias 안정화(voltage headroom 문제 해결), gain 상승 공정 파라미터 문제로 의도와 다르게 설계될 수 있음 사진 삭제 diode connected load : Rout, gain 감소 process variation 문제 완화 사진 삭제 source degeneratio..